處理器一直是決定智慧型手機效能與體積的主要關鍵,因此,更精細的製程以及不斷縮小體積,是各處理器大廠共同的目標。而身為智慧型手機中市佔率相當高的高通,也不斷的朝著這個目標前進,並在今天宣布旗下採用三星 10nm FinFET 製程技術的旗艦級處理器 Snapdragon 835 正式亮相,將為智慧型手機處理器的製程推向下一個里程碑。
根據高通網站上的報導指出,高通並沒有在這場 Snapdragon 835 處理器發表會中提及處理效能,曝光的內容則是製程技術。據了解,高通 Snapdragon 835 處理器同樣找上三星電子代工,與過去比較不一樣的是,這次採用的是三星 10nm FinFET 製程技術,比起上一代的 14nm FinFET 技術,能夠減少處理器 30% 的體積,同時提升 27% 的性能與下降 40% 的功耗。簡單來說,採用 10nm FinFET 製程技術的 Snapdragon 835,無論是體積,還是性能與功耗,都比上一代 14nm FinFET 技術來得更加出色。
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高通表示,Snapdragon 835 處理器目前已進入量產階段,最快明年上半年就能商用。依照這個時間點來看,首款搭載 Snapdragon 835 處理器的智慧型手機,很有機會在明年的 2017 世界行動通訊大會 MWC (Mobile World Congress) 中亮相,屆時我們也會為大家帶來最新報導,請大家密切鎖定點子生活。