感光元件黑科技 Sony發表1000fps高速錄影CMOS感光元件

作為智慧型手機的 CMOS 感光元件大廠,Sony 在這個領域中以積極突破創新的方式在證明自己的實力。並在近期發表了一款加入 DRAM 的三層堆疊結構感光元件,讓所有錄影數據能記錄在 DRAM 中,更創造出 1,000fps 的高速錄影能力。


Sony 新發表的 CMOS 尺寸為 1/2.3 吋,解析度是 5,520 x 3,840,有效畫素則是 21.2MP,而且只需 1/120 秒的時間,就可輸出 19.3MP 的靜態影像,以現有 CMOS 感光元件的 4 倍速度,來減少高速快門所產生的果凍感。不同於傳統雙層式結構 CMOS 的是,Sony 在這個新的 CMOS 中加入了第三層堆疊結構 DRAM,讓鏡頭錄影時的所有數據都能獨立且快速的記錄在 DRAM 上,使 Sony 這顆新的 CMOS 擁有 FUD/1,000fps 的超高速錄影能力,遠遠超越目前智慧型手機中,擁有 FHD/240fps 的 Google Pixel,成為智慧型手機中速度最快的 CMOS 感光元件,也讓使用者可以錄製更細緻、流暢的慢動作影片。

 

雖然 Sony 發表了具有 FHD/1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件,但未來何時會正式應用、會應用在哪一款手機上,甚至是販售給哪個品牌手機做使用都還無法確認。不過,從 Sony 發表的這個 CMOS 感光元件可以看出,在積極追求拍照畫質的情況下,錄影品質可能會是下個各品牌都會努力強化的方向之一,喜歡高速攝影的朋友可以開始期待囉。

 

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