恩智浦半導體宣布將整合氮化鎵（GaN）技術至恩智浦多晶片模組平台，這也是 5G 效能領域的重要產業里程碑。恩智浦位於美國亞利桑那州的氮化鎵晶圓廠為美國專門製造射頻功率放大器最先進的晶圓廠，基於對該晶圓廠的投資，恩智浦率先推出 5G 大規模 MIMO 射頻解決方案，該解決方案結合了氮化鎵的高效率與多晶片模組的緊湊性。
降低能源消耗（energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，因此其中每一點效率都有著關鍵重要性的位置。在多晶片模組中使用氮化鎵能夠在 2.6GHz 頻率下將產品組合效率提高至 52%，比公司上一代模組高出 8%。恩智浦透過在單個裝置中採用專利組合 LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化鎵技術，進而提高效能，可提供 400MHz 的瞬時頻寬，僅用一個功率放大器即可完成寬頻射頻設計。
恩智浦小尺寸 5G 多晶片模組現在可實現上述能源效率和寬頻效能。全新產品組合將使射頻開發人員減少無線電單元的尺寸和重量，幫助行動網路營運商降低在蜂窩式基地台和屋頂部署 5G 的成本。在單個封裝中，模組整合了多級（multi-stage）傳輸鏈（transmit chain）、50 歐姆（ohm）輸入／輸出匹配網路和 Doherty 設計。恩智浦現在使用其最新 SiGe 技術添加偏壓控制，該全新整合步驟實現無需再使用單獨的模擬控制IC，即可對功率放大器效能提供更嚴密的監控和最佳化。
如同上一代模組，全新裝置也都是引腳相容，能讓射頻工程師可以在多個頻段和功率等級擴展單個功率放大器設計，縮短設計週期時間，進而在全球加速推出 5G。恩智浦將推出以這些產品為基礎的 RapidRF 系列射頻類比前端電路版設計，有助於加速 5G 系統的設計。
恩智浦半導體執行副總裁暨無線電功率業務部總經理Paul Hart表示：「恩智浦開發了專用於 5G 基礎設施的獨特技術工具箱（toolbox），包括專有的 LDMOS、氮化鎵和 SiGe 以及先進封裝和射頻設計 IP，讓我們能夠運用每個元件的優勢，並針對每個使用情境以最佳方式將這些優勢結合在一起。」
恩智浦新型 5G 多晶片模組將在第三季度供應樣品，並在今年稍晚開始量產。
